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國產新潔能MOSFET NCEP25N10AK：高頻開關和同步整流的理想選擇

發布時間：2025-03-05 品牌：新潔能(NCE) 瀏覽量：241

隨著電子設備對高效能、高功率密度的需求日益增長，功率半導體器件的性能優化成為技術突破的關鍵。國產品牌新潔能推出的N溝道SGT-II系列功率MOSFET NCEP25N10AK，憑借其超低導通電阻（RDS(on)）、超低柵極電荷（Qg）以及高頻開關特性，成為高頻開關和同步整流領域的理想選擇。


NCEP25N10AK主要參數:

  • 漏源電壓（Vds）：100V
  • 導通電阻（RDS（on））：21mΩ @ VGS=10V；26mΩ @ VGS=4.5V
  • 連續漏極電流（Id）：35A
  • 脈沖漏極電流（IDM）：140A
  • 功率（Pd）：105W
  • 工作溫度范圍：-55℃~+175℃
  • 封裝形式：TO-252-2L

NCEP25N10AK性能特點：

  • 超低導通損耗：作為 SGT-II系列功率MOSFET產品之一，NCEP25N10AK具有超低的導通電阻（Ron,sp），相比于新潔能上一代SGT-I系列產品，導通電阻降低了20%，結合更低的FOM值，提升系統效率。
  • 高頻開關性能: 極低的柵極電荷（Qg）和優化的寄生電容設計，使開關速度更快、損耗更低。
  • 高可靠性：采用先進的Super Trench II技術，具備良好的抗沖擊能力和短路耐受能力。
  • 緊湊的封裝設計：TO-252-2L封裝尺寸小，散熱性能好，能夠在較小的體積內提供較高的功率。

NCEP25N10AK應用場景：

  • 同步整流：在AC/DC適配器、服務器電源中替代傳統二極管，減少死區電壓損耗，提升轉換效率。
  • 高頻開關電源：用于開關電源（SMPS）、DC/DC轉換器，通過快速開關降低磁元件體積，實現高功率密度設計。
  • 電機驅動與電池管理：驅動直流電機或鋰電池保護電路，利用低導通電阻減少發熱，延長電池壽命，并支持大電流快速關斷以應對短路風險。

新潔能NCEP25N10AK MOSFET通過SGT-II技術的革新，在高頻開關效率、系統可靠性及設計靈活性上實現了顯著突破。其核心優勢在于低損耗、高頻率響應與多場景適配能力，尤其適合對能效和空間要求嚴苛的同步整流、電機控制及電源管理應用。對于工程師而言，該MOSFET不僅能夠簡化設計復雜度，更能為終端產品賦予更高的市場競爭力。

 

南山電子是新潔能公司授權代理商，歡迎咨詢選購NCEP25N10AK，了解產品最新價格及庫存請聯系我們18251882769（唐經理）或者聯系網站客服。