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兩款光耦的OR-3H4-4GB-TA1-G-(GK)與OR-3H7-4GB-TA1-G-(GK)
奧倫德兩款熱銷型號。分別屬于OR-3H7-(CG) 和OR-3H4-4系列。兩款光耦產(chǎn)品在核心參數(shù)上較多相識性，同時在一些關鍵特性上有有較明顯的不同。奧倫德光耦代理商-南京南山半導體有限公司技術部同事基于奧倫德科技官網(wǎng)規(guī)格書，對兩個光耦型號進行了對比。為您新項目的光耦快速選型提供參考。完整規(guī)格書和免費樣品，您可以立即通過南山半導體官網(wǎng)（www.09flm.cn）在線客服索取。
2025-03-31查看詳情 -
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OR-3H7-4GB-TA1-G-(GK)奧倫德汽車用高溫光耦免費樣品-選型資料
OR-3H7-4GB-TA1-G-(GK)采用4引腳SOP封裝，符合RoHS、REACH等環(huán)保標準，并通過UL、VDE、CQC等多項國際安全認證。該系列產(chǎn)品專為高密度PCB安裝、工控系統(tǒng)及精密測量設備設計，這款高溫光耦，可以在-55~+125℃范圍內(nèi)正常穩(wěn)定工作。隔離電壓為3750V，略低于另外一款高溫光耦ORPC-817SA-TP-C-G-S-(GK)的5000V的高可靠高溫度高性能國產(chǎn)光耦型號。
2025-03-31查看詳情 -
新潔能MOSFET封裝選擇
國產(chǎn)功率器件品牌新潔能MOSFET通常可大致分為密封型 （如金屬封裝、陶瓷封裝、低熔點玻璃封裝等）和塑封型兩種。通常情況下，選擇塑封型還是密封型，是需要綜合該新潔能MOSFET使用設備的使用目的、使用環(huán)境、可靠性需求和成本需求等要素。
2024-09-21查看詳情 -
國巨君耀半導體放電管P61089B YAGEO晶閘管TSS華東代理商-南山電子
浪涌抑制晶閘管P61089B是國巨君耀推出的SOP-8封裝雙線可編程瞬態(tài)電壓抑制器，也是半導體放電管（Thyristor Surge Suppressors，簡稱TSS）。具有低動態(tài)開關電壓，-155V寬負點火電壓（VMGL ），IGT電流上限5mA，保持電流上限大于150mA,10 ~ 100 pf結電容的特性，可以滿足數(shù)據(jù)傳輸和低功耗電路的質量要求。需要注意的是其本體絲印是H61089B。
2024-09-10查看詳情
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2024年09月28日[電容器］
國產(chǎn)超級電容問答：風華圓柱型超級電容最小包裝量（MPQ）
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2023年12月26日[電容器］
國巨AC系列車規(guī)貼片電容封裝尺寸與容量范圍
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2023年12月26日[電阻器］
小米入股汽車電阻制造商寧波鼎聲微電
